Poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors with high dielectric constant gate insulator

被引：0

作者：

机构：

[1] Wang, Guangming

[2] Moses, Daniel

[3] Heeger, Alan J.

[4] Zhang, Hong-Mei

[5] Narasimhan, Mux

[6] Demaray, R.E.

来源：

Moses, D. (moses@ipos.ucsb.edu) | 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 95期

关键词：

D O I：

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