Electrical characterization of InGaP/GaAs heterointerfaces grown by metallorganic chemical vapor deposition

被引：0

作者：

Nittono, Takumi ^{[1
]}

Fukai, Yoshino K. ^{[1
]}

Hyuga, Fumiaki ^{[1
]}

Maeda, Narihiko ^{[1
]}

机构：

[1] NTT System Electronics Lab, Kanagawa, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1998年 / 37卷 / 11 A期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用