Modelling of threshold voltage with non-uniform substrate doping

被引：0

作者：

Lim, K.Y. ^{[1
]}

Zhou, X. ^{[1
]}

机构：

[1] Nanyang Technological Univ, Singapore, Singapore

来源：

IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, Proceedings, ICSE | 1998年

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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