NEW LOW-NOISE ALGAAS/GAAS 2DEG FET WITH A SURFACE UNDOPED LAYER.

被引：0

作者：

Hida, Hikaru ^{[1
]}

Ohata, Keiichi ^{[1
]}

Suzuki, Yasuyuki ^{[1
]}

Toyoshima, Hideo ^{[1
]}

机构：

[1] NEC, Kawasaki, Jpn, NEC, Kawasaki, Jpn

来源：

关键词：

2-D ELECTRON GAS FET - LOW NOISE - SELECTIVE DOPING;

D O I：

10.1109/t-ed.1986.22539

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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