Capacitance network model of the short channel effect for 0.1 μm fully depleted SOI MOSFET

被引：0

作者：

Koh, Risho ^{[1
]}

Kato, Haruo ^{[1
]}

Matsumoto, Hiroshi ^{[1
]}

机构：

[1] NEC Corp, Kanagawa, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1996年 / 35卷 / 2 B期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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