Simulation models for silicon-on-insulator tunneling-barrier-junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and performance perspective

被引：0

作者：

Nakajima, Hidehiko ^{[1
]}

Kawamura, Akira ^{[1
]}

Komiya, Kenji ^{[1
]}

Omura, Yasuhisa ^{[1
]}

机构：

[1] High-Technology Research Center, Faculty of Engineering, Kansai University, 3-3-35 Yamate-cho, Suita, Osaka 564-8680, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 2003年 / 42卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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