Design and analysis of InGaN-GaN Modulation Doped Field-Effect Transistors (MODFETs) for over 60 GHz operation

被引：0

作者：

Univ of North Florida, Jacksonville, United States ^{[1
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机构：

来源：

Int J Infrared Millim Waves | / 12卷 / 1633-1647期

关键词：

D O I：

暂无

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