Oxidation characteristics of AlxGa1-xAs layer sandwiched between AlxGa1-xAs/GaAs multiple-layer heterostructures

被引：0

作者：

Inst of Semiconductors, the Chinese Acad of Sciences, Beijing, China ^{[1
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机构：

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao | / 10卷 / 791-795期

关键词：

D O I：

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