Comparison of oxide breakdown progression in ultra-thin oxide silicon-on-insulator and bulk metal-oxide-semiconductor field effect transistors

被引：0

作者：

Chen, M.C. ^{[1
]}

Ku, S.H. ^{[1
]}

Chan, C.T. ^{[1
]}

Wang, Tahui ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan

来源：

Journal of Applied Physics | 2004年 / 96卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

(Edited Abstract)

引用

页码：3473 / 3477