Electrical and structural properties of rapid thermal annealed RF sputtered silicon oxide films

被引：0

作者：

Microelectronics Laboratory, Department of Electrical Engineering, National University of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore 119260, Singapore ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Thin Solid Films | / 108-110期

关键词：

Number:; 6471; Acronym:; -; Sponsor:; NUS; Sponsor: National University of Singapore;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用