Preparation of ferroelectric YMnO3 thin films for nonvolatile memory devices by metallorganic chemical vapor deposition

被引：0

作者：

Shin, Woong-Chul ^{[1
]}

Choi, Kyu-Jeong ^{[1
]}

Yang, Cheol-Hoon ^{[1
]}

Park, Jong-Bong ^{[1
]}

Yoon, Soon-Gil ^{[1
]}

机构：

[1] Chungnam Natl Univ, Taejon, Korea, Republic of

来源：

Integrated Ferroelectrics | 1998年 / 21卷 / 1 -4 pt 1期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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