Improvement of reliability of metal-oxide semiconductor field-effect transistors with N2O nitrided gate oxide and N2O polysilicon gate reoxidation

被引：0

作者：

Lai, Chao Sung ^{[1
]}

Chao, Tien Sheng ^{[1
]}

Lei, Tan Fu ^{[1
]}

Lee, Chung Len ^{[1
]}

Huang, Tiao Yuan ^{[1
]}

Chang, Chun Yen ^{[1
]}

机构：

[1] Chang Gung Univ, Tao-Yuan, Taiwan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1998年 / 37卷 / 10期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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