Synchrotron radiation photoemission study of S-passivated GaAs surfaces

被引：0

作者：

Ding, X.M. ^{[1
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Yuan, Z.L. ^{[1
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Hu, H.T. ^{[1
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Li, Z.S. ^{[1
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Chen, Y.F. ^{[1
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Chen, X.Y. ^{[1
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Cao, X.A. ^{[1
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Hou, X.Y. ^{[1
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Wang, Xun ^{[1
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Lu, E.D. ^{[1
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Xu, S.H. ^{[1
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Xu, P.S. ^{[1
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Zhang, X.Y. ^{[1
]}

机构：

[1] Fudan Univ, Shanghai, China

来源：

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms | 1997年 / 133卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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