Crucial role of Si buffer layer quality in the photoluminescence efficiency of strained Si1-xGex/Si quantum wells

被引：0

作者：

Mine, T. ^{[1
]}

Usami, N. ^{[1
]}

Shiraki, Y. ^{[1
]}

Fukatsu, S. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Tokyo, Tokyo, Japan

来源：

Journal of Crystal Growth | 1995年 / 150卷 / 1 -4 pt 2期

关键词：

Number:; -; Acronym:; Sponsor: Iketani Science and Technology Foundation;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1033 / 1037