未找到相关数据
ROLE OF INTERSTITIAL ATOMS IN FORMATION OF RADIATION DEFECTS IN SILICON.
被引：0
作者：
Litvinko, A.G.
Murin, L.I.
Tkachev, V.D.
机构：
来源：
Soviet Physics, Semiconductors (English translation of Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
|
1976年
/
10卷
/
06期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING SILICON
引用
收藏
页码：644 / 647
相关论文