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Thermoelectric devices using semiconductor quantum wells
被引：0
作者：
机构：
[1] Mahan, G.D.
[2] Lyon Jr., H.B.
来源：
Mahan, G.D.
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1899年
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American Inst of Physics, Woodbury, NY, United States卷
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76期
关键词：
16;
D O I：
暂无
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