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- [21] TUNABLE GENERATION OF NANOMETER-SCALE CORRUGATIONS ON HIGH-INDEX III-V SEMICONDUCTOR SURFACESPHYSICAL REVIEW B, 1994, 49 (16): : 11053 - 11059TOURNIE, ENOTZEL, RPLOOG, KH
Adsorbate-induced faceting of high-index semiconductor surfaces: antimony adsorbed on Ge(103)
被引：0
|作者：
Falkenberg, G.
[1
]
Johnson, R.L.
[1
]
机构：
[1] II. Inst. fur Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg, Germany
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暂无
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