EPITAXIAL GROWTH OF SILICON BY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AT A VERY LOW TEMPERATURE OF 250 degree C.

被引:0
作者
Nagamine, Kunihiro [1 ]
Yamada, Akira [1 ]
Konagai, Makoto [1 ]
Takahashi, Kiyoshi [1 ]
机构
[1] Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Jpn, Tokyo Inst of Technology, Tokyo, Jpn
来源
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1987年 / 26卷 / 06期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
9
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