未找到相关数据
INFLUENCE OF THE IMPURITY COMPOSITION ON THE FORMATION OF RECOMBINATION CENTERS DURING IRRADIATION OF n-TYPE SILICON WITH HIGH-ENERGY gamma RAYS.
被引：0
作者：
Lugakov, P.F.
Tkachev, V.D.
Shusha, V.V.
机构：
来源：
Soviet physics. Semiconductors
|
1979年
/
13卷
/
05期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING SILICON
引用
收藏
页码：514 / 517
相关论文