Investigations of δ-doped InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with linearly graded inxGa1-x as channel

被引：0

作者：

机构：

[1] Huang, Jun-Chin

[2] Hsu, Wei-Chou

[3] Lee, Ching-Sung

[4] Chen, Yeong-Jia

[5] Huang, Dong-Hai

[6] Chen, Hsin-Hung

来源：

Hsu, W.-C. (wchsu@eembox.ncku.edu.tw) | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 44期

关键词：

D O I：

暂无

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摘要：

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