Recombination at correlated dangling bonds and the effects of Fermi level position on steady-state photoconductivity in amorphous silicon

被引：0

作者：

Morgado, E. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ de Lisboa, Lisboa, Portugal

来源：

Philosophical Magazine B: Physics of Condensed Matter; Electronic, Optical and Magnetic Properties | 1991年 / 63卷 / 02期

关键词：

Semiconducting Silicon;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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