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Surface segregation during Si/Gen/Si(100) interface formation
被引：0
作者：
Lu, Z.H.
Baribeau, J.-M.
Lockwood, D.J.
机构：
来源：
|
1600年
/
American Inst of Physics, Woodbury, NY, USA卷
/
76期
关键词：
D O I：
暂无
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