Lateral spread of tungsten ions implanted in silicon

被引：0

作者：

Liang, Jenq-Horng ^{[1
]}

机构：

[1] Natl Tsing Hua Univ, Hsinchu, Taiwan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1998年 / 37卷 / 3 A期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

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