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Strain relaxation in MBE-grown Si1-xGex/Si(100) heterostructures by annealing
被引：0
作者：
机构：
[1] Yaguchi, Hiroyuki
[2] Fujita, Ken
[3] Fukatsu, Susumu
[4] Shiraki, Yasuhiro
[5] Ito, Ryoichi
来源：
Yaguchi, Hiroyuki
|
1600年
/
30期
关键词：
Semiconductor devices;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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