Synchrotron radiation photoemission study of S2Cl2-treated GaAs(100) surfaces

被引：0

作者：

Fudan Univ, Shanghai, China ^{[1
]}

机构：

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 1998年 / 19卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

11

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