DOPING OF AMORPHOUS SEMICONDUCTORS.

被引：0

作者：

Stutzmann, Martin ^{[1
]}

机构：

[1] Max-Planck-Inst fuer, Festkoerperforschung, Stuttgart,, West Ger, Max-Planck-Inst fuer Festkoerperforschung, Stuttgart, West Ger

来源：

| 1986年 / 13卷 / pt 3期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

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