Al2O3/InP structure with less oxides of InP fabricated by helicon-wave excited O2-Ar plasma treatment of Al/InP

被引：0

作者：

Motegi, Tomoyuki ^{[1
]}

Tomita, Junji ^{[1
]}

Ikoma, Hideaki ^{[1
]}

机构：

[1] Science Univ of Tokyo, Chiba, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1999年 / 38卷 / 4 B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用