Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic AlxGa1-xAs/GaAs antidot sample

被引：0

作者：

Gusev, G.M. ^{[1
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Gennser, Ulf ^{[1
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Maude, D.K. ^{[1
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Portal, J.C. ^{[1
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Lubyshev, D.I. ^{[1
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Nastaushev, Yu.V. ^{[1
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Rossi, J.C. ^{[1
]}

Basmaji, P. ^{[1
]}

机构：

[1] Russian Acad of Sciences, Novosibirsk, Russia

来源：

关键词：

Semiconductor materials;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用