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In situ spectroscopic ellipsometric investigation of vacuum annealed and oxidized porous silicon layers
被引:0
作者
:
Fried, M.
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0
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0
机构:
Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
Fried, M.
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Wormeester, H.
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Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
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Wormeester, H.
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Zoethout, E.
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Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
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Zoethout, E.
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Lohner, T.
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Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
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Lohner, T.
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Polgar, O.
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Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
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Polgar, O.
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Barsony, I.
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机构:
Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
Barsony, I.
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1
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机构
:
[1]
Research Inst for Materials Science, Budapest, Hungary
来源
:
Thin Solid Films
|
1998年
/ 313-314卷
/ 1-2期
基金
:
匈牙利科学研究基金会;
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
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