Trapping mechanisms in negative bias temperature stressed p-MOSFETs

被引：0

作者：

Schlünder, Christian ^{[1
,2
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Brederlow, Ralf ^{[1
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Wieczorek, Peter ^{[3
]}

Dahl, Claus ^{[4
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Holz, Jürgen ^{[4
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Röhner, Michael ^{[4
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Kessel, Sylvia ^{[4
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Herold, Volker ^{[1
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Goser, Karl ^{[2
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Weber, Werner ^{[1
]}

Thewes, Roland ^{[1
]}

机构：

[1] Infineon Technologies, Corporate Research, CPR 3, Otto-Hahn-Ring 6, D 81730 Munich, Germany

[2] University Dortmund, Lehrst. Bauelemente der Elektrotech., D 44227 Dortmund, Germany

[3] Infineon Technologies, ZUVDEV, Otto-Hahn-Ring 6, D 81730 Munich, Germany

[4] Infineon Technologies, PI M, Otto-Hahn-Ring 6, D 81730 Munich, Germany

来源：

Microelectronics Reliability | / 39卷 / 6-7期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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