SELECTIVE MOCVD GROWTH FOR APPLICATION TO GaAs/AlGaAs BURIED HETEROSTRUCTURE LASERS.

被引:0
作者
Iwasaki, Tamotsu [1 ]
Matsuo, Nozomu [1 ]
Matsumoto, Narihito [1 ]
Kashiwa, Susumu [1 ]
机构
[1] Furukawa Electric Co, Central, Research Lab, Tokyo, Jpn, Furukawa Electric Co, Central Research Lab, Tokyo, Jpn
来源
| 1600年 / 25期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
10
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