High resolution EL2 and resistivity topography of SI GaAs wafers

被引：0

作者：

Wickert, M. ^{[1
]}

Stibal, R. ^{[1
]}

Hiesinger, P. ^{[1
]}

Jantz, W. ^{[1
]}

Wagner, J. ^{[1
]}

机构：

[1] Fraunhofer Inst Angewandte, Festkoerperphysik, Freiburg, Germany

来源：

IEEE Semiconducting and Semi-Insulating Materials Conference, SIMC | 1999年

关键词：

D O I：

暂无

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引用

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