Crystallization of amorphous thin LPCVD Si films: `In situ' TEM measurement of nucleation and grain growth rates

被引：0

作者：

Guillemet, J.P. ^{[1
]}

de Mauduit, B. ^{[1
]}

Pieraggi, B. ^{[1
]}

Bielle-Daspet, D. ^{[1
]}

Scheid, E. ^{[1
]}

机构：

[1] UPR 8011 du CNRS, Toulouse, France

来源：

Materials Science and Engineering A | 1993年 / A173卷 / 1-2期

关键词：

Semiconducting silicon;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：377 / 380

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