Reactive ion etching of copper films in a SiCl4, N2, Cl2, and NH3 mixture

被引：0

作者：

NTT Affiliated Business Dep, Headquarters, Tokyo, Japan ^{[1
]}

机构：

来源：

J Electrochem Soc | / 12卷 / 4089-4095期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

8

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