Liquid phase epitaxial growth of elastically strained InGaAsP layers for spin-polarized electron sources

被引：0

作者：

Inst of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia ^{[1
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机构：

来源：

J Cryst Growth | / 1-4卷 / 310-313期

关键词：

D O I：

暂无

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