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Upset hardened memory design for submicron CMOS technology
被引：0
作者：
TIMA/INPG Lab, Grenoble, France
[1
]
机构：
来源：
IEEE Trans Nucl Sci
|
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6 Pt 1卷
/
2874-2878期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
12
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