Analytical model for calculating exciton energies as measured in Zn1-xCdxSe/ZnSe and ZnSe/ZnSxSe1-x quantum wells

被引：0

作者：

Wulfes, A. ^{[1
]}

Gutowski, J. ^{[1
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Kurtz, E. ^{[1
]}

Hommel, D. ^{[1
]}

Scholl, M. ^{[1
]}

Heuken, M. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ Bremen, Bremen, Germany

来源：

Materials Science Forum | 1995年 / 182-184卷

关键词：

Binding energy - Calculations - Composition effects - Emission spectroscopy - Excitons - Gas lasers - Optical properties - Photoluminescence - Semiconducting gallium arsenide - Semiconducting zinc compounds - Semiconductor device models - Semiconductor device structures;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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