Mechanism for damage healing of cracked 6H-SiC substrates by the sublimation method

被引：0

作者：

Shimizu, T. ^{[1
]}

Nishiguchi, T. ^{[1
]}

Sasaki, M. ^{[1
]}

Ohshima, S. ^{[1
]}

Nishino, S. ^{[1
]}

机构：

[1] Dept. of Electronics and Info. Sci., Kyoto Institute of Technology, Sakyo-ku, Kyoto 606-8585, Japan

来源：

关键词：

D O I：

10.4028/www.scientific.net/msf.353-356.77

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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