In-situ after-treatment using low-energy dry-etching with a CF4/O2 gas mixture to remove reactive ion etching damage

被引:0
作者
Matsui, Miyako [1 ]
Uchida, Fumihiko [1 ]
Kojima, Masayuki [1 ]
Tokunaga, Takafumi [1 ]
Yamazaki, Kazuo [1 ]
Katsuyama, Kiyomi [1 ]
Arai, Hiromasa [1 ]
机构
[1] Hitachi Central Research Lab, Tokyo, Japan
来源
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1998年 / 37卷 / 4 B期
关键词
D O I
暂无
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学科分类号
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页码:2330 / 2336
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