Increase in drive current by Pt/W protection on short-channel Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with metal gate

被引：0

作者：

机构：

[1] Sato, Hiroshi

[2] Sato, Hiroyuki

[3] Iguchi, Tsuyoshi

[4] 1,Asada, Masahiro

来源：

Sato, H. (hsato@pe.titech.ac.jp) | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 43期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

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