First fabrication of AlGaAs/GaAs double-heterostructure light-emitting diodes grown on GaAs(111)A substrates using only silicon dopant

被引：0

作者：

机构：

[1] Egawa, Takashi

[2] Niwano, Yutaka

[3] Fujita, Kazuhisa

[4] Nitatori, Kouichi

[5] Watanabe, Toshihide

[6] Jimbo, Takashi

[7] Umeno, Masayoshi

来源：

Egawa, Takashi | 1600年 / JJAP, Minato-ku, Japan卷 / 34期

关键词：

Light emitting diodes;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用