Effects of strain on the threshold current density in InGaAsP/InP strained-layer single-quantum-well lasers

被引：0

作者：

机构：

[1] Seki, Shunji

[2] Yokoyama, Kiyoyuki

来源：

Seki, Shunji | 1600年 / American Inst of Physics, Woodbury, NY, United States卷 / 76期

关键词：

Semiconductor lasers;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用