ORIENTATIONAL DISORDER IN AMORPHOUS SILICON PROBED BY XANES (X-RAY ABSORPTION NEAR EDGE STRUCTURE).

被引：0

作者：

Di Cicco, A. ^{[1
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Bianconi, A. ^{[1
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Benfatto, M. ^{[1
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Marcelli, A. ^{[1
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Natoli, C.R. ^{[1
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Pianetta, P. ^{[1
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Woicik, J. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ di Roma 'La Sapienza', Rome, Italy, Univ di Roma 'La Sapienza', Rome, Italy

来源：

Physica Scripta | 1988年 / 38卷 / 03期

关键词：

AMORPHOUS SILICON - ORIENTATIONAL DISORDER - X-RAY ABSORPTION NEAR EDGE FINE STRUCTURE - X-RAY ABSORPTION SPECTROSCOPY;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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