Structure of the 0.95 eV photoluminescence centers in n-type GaAs

被引：0

作者：

Reshchikov, M.A. ^{[1
]}

Gutkin, A.A. ^{[1
]}

Sedov, V.E. ^{[1
]}

机构：

[1] Ioffe Physical-Technical Inst, St.-Petersburg, Russia

来源：

Materials Science Forum | 1995年 / 196-201卷 / pt 1期

关键词：

701.1 Electricity: Basic Concepts and Phenomena - 712.1.2 Compound Semiconducting Materials - 741.1 Light/Optics - 931.3 Atomic and Molecular Physics - 933.1.2 Crystal Growth;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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