Analysis of dark current characteristics of novel GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors

被引：0

作者：

Shi, Yan-Li ^{[1
]}

Deng, Jun ^{[1
]}

Du, Jin-Yu ^{[1
]}

Lian, Peng ^{[1
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Gao, Guo ^{[1
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Chen, Jian-Xin ^{[1
]}

Shen, Guang-Di ^{[1
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Yin, Jie ^{[1
]}

Wu, Xing-Hui ^{[1
]}

机构：

[1] Beijing Optoelectronic Technol. Lab., Beijing Polytechnic Univ., Beijing 100022, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 2001年 / 22卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Photodetectors

引用

页码：503 / 506