Transformation of dense contact holes during SiO2 etching

被引：0

作者：

机构：

[1] Sakamori, Shigenori

[2] Fujiwara, Nobuo

[3] 1,Miyatake, Hiroshi

[4] Oikawa, Kota

[5] Yamanaka, Michinari

[6] Sasaki, Tomoyuki

来源：

Sakamori, S. | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 42期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用