Silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with gate structures defined by scanned probe lithography

被引：0

作者：

Hagedorn, M.S.

Litfin, D.D.

Price, G.M.

Gordon, A.E.

Higman, T.K.

机构：

来源：

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena | 1996年 / 14卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

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