Two-dimensional growth of GaP on Si substrates under high V/III ratio by metal organic vapor phase epitaxy

被引：0
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作者：
机构：
[1] Imaizumi, Mitsuru
[2] Saka, Takashi
[3] Jimbo, Takashi
[4] Soga, Tetsuo
[5] Umeno, Masayoshi
来源：
Imaizumi, Mitsuru | 1600年 / 30期
关键词：
Semiconducting Gallium Compounds;
D O I：
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共 1 条
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    Furukawa, Y.
    Yonezu, H.
    Wakahara, A.
    Ishiji, S.
    Moon, S. Y.
    Morisaki, Y.
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 300 (01) : 172 - 176
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