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Fabrication and properties of ternary silicide (CoxNi1-x) Si2 thin films
被引：0
作者：
Fudan Univ, Shanghai, China
[1
]
机构：
来源：
Weixi Jiagong Jishu
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1卷
/
16-24期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
11
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