STUDY OF ION-IMPLANTATION DAMAGE IN GaAs:Be AND InP:Be USING RAMAN SCATTERING.

被引：0

作者：

Rao, C.S.Rama

Sundaram, S.

Schmidt, R.L.

Comas, J.

机构：

[1] Department of Physics, University of Illinois, Chicago, IL 60680, United States

[2] Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, United States

来源：

| 1808年 / 54期

关键词：

D O I：

暂无

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